RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
50
Por volta de -85% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.8
1,457.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,757.3
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,457.4
17.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
557
3963
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparações de RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair VS1GB800D2 1GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link