RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
10.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
96
Por volta de -220% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
30
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
10.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
9.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
1651
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
INTENSO M418039 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link