RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
94
Около -213% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
30
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
17.4
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
3579
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
INTENSO 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link