RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Причины выбрать
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
21.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
21.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3448
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link