RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
94
Около -135% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.1
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.9
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
40
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
9.1
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
2031
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link