RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
94
Около -161% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
36
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
2247
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link