RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Сравнить
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB против Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
45
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.6
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.8
11.1
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
23
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
19.6
Скорость записи, Гб/сек
11.1
18.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2556
4095
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link