RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
52
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.5
1,145.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
4200
Около 4.05 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
34
Скорость чтения, Гб/сек
2,614.5
17.3
Скорость записи, Гб/сек
1,145.9
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
17000
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
409
3606
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link