RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
52
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
3606
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link