RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
66
Около -154% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2880
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link