RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
66
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.1
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
35
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
9.1
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2229
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link