RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
46
Около -92% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
17.0
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3230
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston 9905403-02X.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link