AMD AE34G1601U1 4GB против Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB

-->

Средняя оценка

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Средняя оценка

Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

AMD AE34G1601U1 4GB

Причины выбрать
AMD AE34G1601U1 4GB

Сообщить об ошибке

Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB

Причины выбрать
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 67

Около -109% меньшая задержка
Выше скорость чтения

10.8 6.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.5 3.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

AMD AE34G1601U1 4GB

Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

67 32
Скорость чтения, Гб/сек

6.8 10.8
Скорость записи, Гб/сек

3.6 8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

998 2349

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB

Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB

модули RAM

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB

INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB

Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

модули RAM

Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB

Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905713-030.A00G 8GB

Kingston 9905713-030.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB

модули RAM