RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Сравнить
AMD R538G1601U2S-UO 8GB против Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
-->
Средняя оценка
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
31
Около 16% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.0
9.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.4
14.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
31
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
15.4
Скорость записи, Гб/сек
10.0
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2634
2554
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link