ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

-->

Средняя оценка

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Средняя оценка

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 39

Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения

12.6 8.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.5 6.2

Среднее значение в тестах

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 39
Скорость чтения, Гб/сек

12.6 8.7
Скорость записи, Гб/сек

9.5 6.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2174 1842

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Kingston KF2933C17S4/32G 32GB

Kingston KF2933C17S4/32G 32GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB

модули RAM

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB

модули RAM

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB

Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB

модули RAM

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB

Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB

модули RAM

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB

модули RAM