RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
39
Intorno 33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.6
8.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
6.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
39
Velocità di lettura, GB/s
12.6
8.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
6.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
1842
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link