RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.2
10.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.2
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
39
Около -11% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
10.3
Скорость записи, Гб/сек
8.2
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2165
2327
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link