RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB против Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.9
Скорость записи, Гб/сек
7.5
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2014
2611
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Inmos + 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link