RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBSR 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBSR 4GB против A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBSR 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBSR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
45
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBSR 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
45
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
15.0
Скорость записи, Гб/сек
10.1
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2664
2190
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBSR 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16HTF25664HZ-800E1 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link