Kingston KVR16N11/8-SP 8GB против G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB

-->

Средняя оценка

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Причины выбрать
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 34

Около 24% меньшая задержка

G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

19.7 13.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

16.9 9.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 34
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 19.7
Скорость записи, Гб/сек

9.5 16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2432 3700

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB

Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N

модули RAM

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB

Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

Kingston 9905678-041.A00G 4GB

Kingston 9905678-041.A00G 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Kingston 9965745-002.A00G 16GB

Kingston 9965745-002.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Maxsun MSD44G24Q3 4GB

Maxsun MSD44G24Q3 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB

модули RAM