RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
10.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
36
Около -3% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.4
10.3
Скорость записи, Гб/сек
11.0
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2729
2327
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link