G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB против Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Средняя оценка

Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 32

Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.9 14.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.5 9.7

Среднее значение в тестах

Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR5 DDR4
Задержка в PassMark, нс

22 32
Скорость чтения, Гб/сек

14.9 14.1
Скорость записи, Гб/сек

13.5 9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 19200

Other

Описание

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

no data / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3679 2434

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

модули RAM

Kingston 9905469-124.A00LF 4GB

Kingston 9905469-124.A00LF 4GB

Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB

Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB

модули RAM

Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

модули RAM

TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB

TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB

Kingston 99U5702-020.A00G 8GB

Kingston 99U5702-020.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB

Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Kingston K1CXP8-MIE 16GB

Kingston K1CXP8-MIE 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB

Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB

Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB

Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Kingston 9905599-029.A00G 4GB

Kingston 9905599-029.A00G 4GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB

Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB

модули RAM