RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
49
Около -53% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
16.6
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
3357
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link