RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
32
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.4
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
19.4
Скорость записи, Гб/сек
8.6
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2239
3726
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5469-052.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link