RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
15.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
49
Около -145% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
20
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
20.0
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
3619
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-044.A00LF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link