RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
62
Около -94% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.3
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
19.4
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
3726
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link