Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB

-->

Средняя оценка

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 13.1

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 62

Около -114% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.6 1,843.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

62 29
Скорость чтения, Гб/сек

3,556.6 13.1
Скорость записи, Гб/сек

1,843.6 9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

542 2243

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB

G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB

Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Kingston K1CXP8-MIE 16GB

Kingston K1CXP8-MIE 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB

Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB

Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB

Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB

Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Kingston 99U5663-006.A00G 16GB

Kingston 99U5663-006.A00G 16GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB

Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB

модули RAM