RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
62
67
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.2
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
67
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
2042
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link