RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
16.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
11.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
16.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2913
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link