RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2913
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Kingston KX830D-HYC 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link