RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
35
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
32
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
14.3
Скорость записи, Гб/сек
7.9
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2126
2464
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link