RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
62
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
28
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
17.4
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2663
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB Сравнения RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link