RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB против Kingston 9905701-022.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Средняя оценка
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
90
Около -200% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
1,140.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
90
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,699.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,140.4
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
436
2505
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link