RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
65
Около -110% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.8
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2888
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Inmos + 256MB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link