RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
73
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.0
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
73
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
13.4
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
1468
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link