RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
67
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.2
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
67
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2042
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link