RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
65
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.3
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2436
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Ramaxel Technology RMR5030MN68F9F1600 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1600C11 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link