Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB

Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB против Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

-->

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB

Средняя оценка

Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

49 68

Около 28% меньшая задержка
Выше скорость чтения

4 4

Среднее значение в тестах

Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

Причины выбрать
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

2,636.8 2,120.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

6400 5300

Около 1.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB

Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR2
Задержка в PassMark, нс

49 68
Скорость чтения, Гб/сек

4,879.6 4,540.8
Скорость записи, Гб/сек

2,120.4 2,636.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 6400

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

840 827

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905469-153.A00LF 4GB

Kingston 9905469-153.A00LF 4GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

модули RAM

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB

Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB

A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

модули RAM

Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB

Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB

A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB

A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB

Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB

модули RAM

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Kingston 9905701-018.A00G 16GB

Kingston 9905701-018.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB

модули RAM