RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
49
Около 51% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
49
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2673
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB Сравнения RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link