RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3572
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link