RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3572
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link