RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2316
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link