RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3340
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link