RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3246
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link