RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3246
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link