RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2984
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link