RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3157
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link