Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB против G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Причины выбрать
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.7 15.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.8 10.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 17000

Около 1.25% выше полоса пропускания

G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 35

Около -9% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

35 32
Скорость чтения, Гб/сек

15.7 15.3
Скорость записи, Гб/сек

11.8 10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

21300 17000

Other

Описание

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2767 2706

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB

Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB

Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

AMD R744G2400U1S-UO 4GB

AMD R744G2400U1S-UO 4GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB

Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB

модули RAM