RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3115
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link