RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3115
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link