RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
21.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4043
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link