RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3792
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Kingston 99U5474-015.A00LF 2GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link